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迪士尼彩乐园到微hyhyk1好 陕西半导体先导时代中心获得带有隆起 P 阱的 UMOSFET 器件过头制备步调专利

发布日期:2024-03-14 05:31 点击次数:153 你的位置:迪士尼彩乐园 > 迪士尼彩乐园合法吗 >

金融界 2025 年 1 月 11 日讯息,国度常识产权局信息露馅,陕西半导体先导时代中心有限公司获得一项名为“一种带有隆起 P 阱的 UMOSFET 器件过头制备步调”的专利迪士尼彩乐园到微hyhyk1好,授权公告号 CN 118800806 B,肯求日历为 2024 年 9 月。

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起首:金融界

发布于:北京市

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